英特尔传来新消息,证明梁孟松说对了

2022-07-03 10:45作者:admin来源:未知>次阅读

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台积电,三星不断挖掘芯片性能,已经下探到3nm了。台积电打算在今年下半年正式投入3nm的量产,三星似乎领先台积电一步,会在6月底之前进行3nm量产。这两大芯片制造巨头的芯片发展速度让人望尘莫及。

不过英特尔传来新消息,推翻了芯片命名方式,很快就能量产比肩台积电,三星的4nm芯片产品。

英特尔重新制定芯片命名方式有何意义?若按照英特尔的标准来判断,中芯国际处在怎样的工艺水平呢?

芯片命名方式

业内判断一款芯片属于怎样的工艺水准,会根据多少nm数值来判断,比如7nm,5nm等等。数值越小,则代表芯片越先进,可容纳的晶体管数量也就更多。

台积电和三星都在冲击3nm,但很多人并不知道的是,二者的工艺差距是存在的,并非完全一致。

由于台积电的工艺更先进,因此台积电的3nm不论是晶体管密度还是性能提升表现都更加出色。虽然都是3nm,却因为台积电,三星的芯片命名方式让外界产生很多误解,觉得工艺升级非常大,实际上每平方毫米的晶体管数量有很大的差异。

那么台积电,三星的芯片工艺是如何命名的呢?二者遵守传统,根据栅极的最小宽度来判断属于多少nm制程。

往下发展再根据集成度,器件性能的提升和晶体管数量的增加来决定下一代制程。但随着新型架构技术的运用,传统的命名方式已经无法和栅极宽度相提并论了,多少nm已然不是衡量芯片工艺的唯一标准。

由于从传统的角度出发,可以让台积电,三星占很大的便宜,给人一种一两年内就能突破一代工艺制程的良好印象。

英特尔推翻芯片命名方式

若按照台积电,三星的芯片命名方式去衡量其它芯片制造商,会吃很大的亏,就比如英特尔。

英特尔的10nm每平方毫米密度达到了1.06亿,三星,台积电在7nm的/mm²密度分别为0.95亿和0.97亿 。由此可见英特尔的10nm已经和台积电,三星7nm相当了,甚至还要出色。

为避免传统命名方式带来的固有印象,英特尔推翻了芯片命名方式。不再以多少nm命名,而是划分成五大工艺节点,分别包括10nm、Intel 7、Intel 4、Intel 3、20A。

英特尔传来的新消息,目前已经在发展Intel 4工艺了,并将于2023年正式推出,采用EUV工艺制造。

Intel 4对应的其实就是台积电,三星的4nm了,Intel 3自然就是对应3nm,至于更先进的20A,这个已经触及到埃米时代,不是短时间能完成的。

按照英特尔全新的芯片命名方式来看,和台积电,三星只相差了一代工艺。英特尔正式确认会获得ASML下一代NA EUV光刻机首发,这比台积电,三星还要早拿到拿到更先进的EUV光刻机。

这意味着英特尔有望和台积电,三星实现真正的三足鼎立,在角逐高端工艺领域大放异彩。那么英特尔重新制定芯片命名方式有什么意义呢?很大的意义在于不会再让人过于执着多少nm了,让人明白芯片性能提升才是衡量工艺的重要标准。

若根据栅极宽度来命名,有多少芯片制造商会因此失去受市场关注的机会。判断晶体管每平方毫米的密度会成为未来芯片命名的主要方式。因此,按照英特尔的标准来判断,中芯国际处在怎样的工艺水平呢?

中芯国际的工艺水平

中芯国际说过,2022年的目标是推进FinFet和28nm,28nm大家都能理解,这是成熟工艺制程,和主流的芯片性能差距并不大。

关键在于FinFet,这是一种鳍式场效应晶体管,这种晶体管工艺对电流有很好的控制能力,缩短晶体管的栅长。这项晶体管架构被广泛运用,中芯国际在此基础上实现了28nm,14nm以及N+1等多种工艺的开发。

对于外界关注的工艺水平,梁孟松是有表过态的。中芯国际联合CEO梁孟松说过,自己带领团队将工艺开发到了7nm。

这里的7nm或许不是用传统芯片命名方式来评判的,中芯国际N+1之下还有N+2,N+2对应传统的7nm,想必这就是中芯国际的工艺水平。当然,具体处在怎样的状态目前并不清楚,大致可以确定的是,中芯国际在传统意义上的7nm已经有所进展。

总结

英特尔用全新的芯片命名方式走向未来,并传来2023年发布Intel 4芯片产品的新消息。这也证明梁孟松说对了,中芯国际工艺水平已触及到7nm,但并非以传统的命名方式来定义。未来还需更多的时间去沉淀,为将来实现厚积薄发做充足准备。

对此,你有什么看法呢?

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